Gabatarwa ga aikin wafer Baya niƙa
1. Dalilin Nika Baya
A cikin aiwatar da samar da semiconductor daga wafers, bayyanar wafers koyaushe yana canzawa.Na farko, a cikin tsarin masana'antar wafer, Edge da farfajiyar wafer suna gogewa, tsarin da yawanci ke niƙa bangarorin biyu na wafer.Bayan ƙarshen aikin gaba-gaba, zaku iya fara aikin niƙa na baya wanda kawai ke niƙa bayan wafer, wanda zai iya cire gurɓataccen sinadarai a cikin tsarin gaba-gaba kuma ya rage kauri daga guntu, wanda ya dace sosai. don samar da ƙananan kwakwalwan kwamfuta da aka saka akan katunan IC ko na'urorin hannu.Bugu da ƙari, wannan tsari yana da fa'idodi na rage juriya, rage yawan amfani da wutar lantarki, ƙara yawan zafin jiki da kuma saurin watsar da zafi a baya na wafer.Amma a lokaci guda, saboda wafer ɗin yana da bakin ciki, yana da sauƙi don karyewa ko karkatar da shi daga waje, yana sa matakan sarrafawa ya fi wahala.
2. Nikawar Baya (Nikawar Baya) cikakken tsari
Ana iya raba niƙa na baya zuwa matakai uku masu zuwa: na farko, manna Lamincin Tef mai kariya akan wafer;Na biyu, niƙa bayan wafer;Na uku, kafin a raba guntu daga Wafer, wafer ɗin yana buƙatar sanya wafer akan Dutsen Wafer wanda ke kare tef.Tsarin facin wafer shine mataki na shirye-shiryen rabuwa daguntu(yanke guntu) sabili da haka kuma ana iya haɗa shi cikin tsarin yanke.A cikin 'yan shekarun nan, kamar yadda kwakwalwan kwamfuta suka zama sirara, tsarin tsari kuma na iya canzawa, kuma matakan tsari sun zama mafi tsabta.
3. Tape Lamination tsari don wafer kariya
Mataki na farko a cikin niƙa na baya shine sutura.Wannan tsari ne na sutura wanda ke manne da tef zuwa gaban wafer.Lokacin da ake niƙa a baya, mahadi na silicon za su yadu, kuma wafer ɗin na iya tsagewa ko yaduwa saboda ƙarfin waje yayin wannan aikin, kuma girman wurin wafer ɗin, zai fi sauƙi ga wannan al'amari.Saboda haka, kafin a niƙa baya, an haɗa fim ɗin shuɗi na bakin ciki na Ultra Violet (UV) don kare wafer.
Lokacin yin amfani da fim din, don yin wani rata ko iska mai iska tsakanin wafer da tef, ya zama dole don ƙara ƙarfin mannewa.Duk da haka, bayan niƙa a baya, tef a kan wafer ya kamata a haskaka shi ta hasken ultraviolet don rage ƙarfin mannewa.Bayan cirewa, ragowar tef ba dole ba ne ya kasance a saman wafer.Wani lokaci, tsarin zai yi amfani da mannewa mai rauni kuma yana iya haifar da kumfa wanda ba ultraviolet yana rage maganin membrane ba, kodayake yawancin rashin amfani, amma maras tsada.Bugu da ƙari, ana amfani da fina-finai na Bump, waɗanda ke da kauri sau biyu kamar na rage ƙwayar UV, kuma ana sa ran za a yi amfani da su tare da karuwa a nan gaba.
4. The wafer kauri ne inversely gwargwado ga guntu kunshin
Kaurin wafer bayan niƙa na baya an rage gabaɗaya daga 800-700 µm zuwa 80-70 µm.Wafers da aka ragu zuwa kashi goma na iya tara yadudduka huɗu zuwa shida.Kwanan nan, wafers za a iya ma daɗaɗa su zuwa kusan milimita 20 ta hanyar niƙa biyu, ta haka za a tattara su zuwa yadudduka 16 zuwa 32.A wannan yanayin, duk da amfani da yadudduka da yawa, jimlar tsayin kunshin da aka gama bai kamata ya wuce wani kauri ba, wanda shine dalilin da ya sa ake bin wafers na niƙa koyaushe.Mafi ƙarancin wafer, mafi ƙarancin lahani, kuma mafi wahala tsari na gaba shine.Don haka, ana buƙatar fasahar zamani don inganta wannan matsala.
5. Canjin hanyar niƙa ta baya
Ta hanyar yankan wafers da bakin ciki gwargwadon yiwuwa don shawo kan iyakokin dabarun sarrafawa, fasahar niƙa ta baya tana ci gaba da haɓakawa.Don wafer na yau da kullun mai kauri na 50 ko mafi girma, niƙa ta baya ta ƙunshi matakai uku: Ƙarƙashin Niƙa da Nika Mai Kyau, inda ake yanke wafer kuma a goge bayan zama biyu na niƙa.A wannan lokaci, kama da Chemical Mechanical Polishing (CMP), Slurry da Deionized Water yawanci ana amfani da su tsakanin kushin goge baki da wafer.Wannan aikin goge-goge na iya rage juzu'i tsakanin wafer da kushin goge baki, kuma ya sa fuskar ta yi haske.Lokacin da wafer ya yi kauri, za a iya amfani da Super Fine Grinding, amma mafi ƙarancin wafer, ana buƙatar ƙarin gogewa.
Idan wafer ya zama bakin ciki, yana da sauƙi ga lahani na waje yayin aikin yanke.Saboda haka, idan kauri daga cikin wafer ne 50 µm ko žasa, da tsari za a iya canza.A wannan lokacin, ana amfani da hanyar DBG (Dicing Before Grinding), wato, ana yanke wafern da rabi kafin a fara niƙa.An raba guntu cikin aminci daga wafer a cikin tsari na Dicing, niƙa, da slicing.Bugu da ƙari, akwai hanyoyin niƙa na musamman waɗanda ke amfani da farantin gilashi mai ƙarfi don hana wafer daga karye.
Tare da karuwar buƙatar haɗin kai a cikin ƙananan kayan aikin lantarki, fasahar niƙa ta baya bai kamata kawai ta shawo kan iyakokinta ba, amma kuma ta ci gaba da bunkasa.A lokaci guda, ba kawai wajibi ne don magance matsalar rashin lahani na wafer ba, har ma don shirya sababbin matsalolin da zasu iya tasowa a cikin tsari na gaba.Don magance waɗannan matsalolin, yana iya zama dolecanzajerin tsari, ko gabatar da fasahar etching sinadarai da ake amfani da susemiconductortsari na gaba-gaba, da haɓaka sabbin hanyoyin sarrafawa.Domin warware matsalolin da ke tattare da wafern manyan yanki, ana bincika hanyoyin niƙa iri-iri.Bugu da kari, ana gudanar da bincike kan yadda ake sake sarrafa siliki da ake samarwa bayan an nika waina.
Lokacin aikawa: Yuli-14-2023